采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：270mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：0.622 nC @ 4.5 V
输入电容：59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流：460mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：700 毫欧 @ 350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：64 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：64 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
功率：1.1W
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.6A
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：405pF @ 10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
阈值电压：1V @ 250µA
连续漏极电流：5A
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：24nC @ 4.5V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
