品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1596,"22+":16939,"MI+":3727}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12250,"23+":7200,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1596,"22+":16939,"MI+":3727}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:300 nC @ 10 V
输入电容:8970 pF @ 50 V
连续漏极电流:195A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 毫欧 @ 170A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z14PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.5W(Ta),19W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:13.5 nC @ 10 V
输入电容:540 pF @ 30 V
连续漏极电流:10A(Ta),12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:18.5 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: