品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:48W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
输入电容:2096 pF @ 25 V
连续漏极电流:10A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:610 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:36 nC @ 10 V
输入电容:1030 pF @ 25 V
连续漏极电流:10A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:550 毫欧 @ 6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:36 nC @ 10 V
输入电容:1030 pF @ 25 V
连续漏极电流:10A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:550 毫欧 @ 6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:125W(Tc)
输入电容:1030 pF @ 25 V
连续漏极电流:10A(Tc)
导通电阻:550 毫欧 @ 6A,10V
栅极电荷:36 nC @ 10 V
阈值电压:4V @ 250µA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: