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    阈值电压: 4V @ 250µA
    类型: N 通道
    功率: 3.5W(Ta),19W(Tc)
    当前匹配商品:2
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),19W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:13.5 nC @ 10 V

    输入电容:540 pF @ 30 V

    连续漏极电流:10A(Ta),12A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),19W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:13.5 nC @ 10 V

    输入电容:540 pF @ 30 V

    连续漏极电流:10A(Ta),12A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 4A,10V

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