采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB082N15A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：294W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：84 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6040 pF @ 25 V
连续漏极电流：117A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：72W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB082N15A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：294W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：84 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6040 pF @ 25 V
连续漏极电流：117A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：72W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
