品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA130N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:360W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:104 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5080 pF @ 25 V
连续漏极电流:130A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:9.1 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:231W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:151 nC @ 10 V
输入电容:9815 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:231W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:151 nC @ 10 V
输入电容:9815 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH160N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:430W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:132 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:6600 pF @ 25 V
连续漏极电流:160A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA130N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:360W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:104 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5080 pF @ 25 V
连续漏极电流:130A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:9.1 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":287}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:268W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9415 pF @ 25 V
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:377 nC @ 10 V
输入电容:20000 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:340 nC @ 10 V
输入电容:17930 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.8 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:377 nC @ 10 V
输入电容:20000 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:340 nC @ 10 V
输入电容:17930 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.8 毫欧 @ 60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH160N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:430W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:132 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:6600 pF @ 25 V
连续漏极电流:160A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB047N10
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
栅极电荷:210 nC @ 10 V
类型:N 通道
连续漏极电流:120A(Tc)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
输入电容:15265 pF @ 25 V
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP047N08
栅极电荷:152 nC @ 10 V
漏源电压:75V
导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V
输入电容:9415 pF @ 25 V
功率:268W(Tc)
连续漏极电流:164A(Tc)
类型:N 通道
包装方式:管件
阈值电压:4.5V @ 250µA
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA180N10T
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:480W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:151 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:6900 pF @ 25 V
连续漏极电流:180A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: