品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3017SFG-13
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:940mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:41 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2246 pF @ 15 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:10 毫欧 @ 11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:930mW(Ta)
栅极电荷:37 nC @ 10 V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
输入电容:1810 pF @ 20 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: