品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:180W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:130 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:180W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:130 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:180W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:130 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:180W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:130 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50T
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:28W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:180W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:130 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:180W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:130 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50T
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:28W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP22N50N
漏源电压:500V
输入电容:3200 pF @ 25 V
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
类型:N 通道
包装方式:管件
连续漏极电流:22A(Tc)
ECCN:EAR99
功率:312.5W(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP22N50N
漏源电压:500V
输入电容:3200 pF @ 25 V
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
类型:N 通道
包装方式:管件
连续漏极电流:22A(Tc)
ECCN:EAR99
功率:312.5W(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
漏源电压:500V
类型:P 通道
连续漏极电流:8A(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
功率:180W(Tc)
栅极电荷:130 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
包装方式:管件
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
输入电容:3400 pF @ 25 V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
漏源电压:500V
类型:P 通道
连续漏极电流:8A(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
功率:180W(Tc)
栅极电荷:130 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
包装方式:管件
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
输入电容:3400 pF @ 25 V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:89W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:19.8 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960 pF @ 25 V
连续漏极电流:5.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.15 欧姆 @ 2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: