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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4114DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：4W（Ta），115W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：34 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 25 V
连续漏极电流：29A（Ta），155A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），5.7W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
输入电容：3700 pF @ 10 V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），25.5W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252 pF @ 15 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），52A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.73 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.51W（Ta），25.5W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252 pF @ 15 V
连续漏极电流：16.4A（Ta），52A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.73 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：15W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637 pF @ 20 V
连续漏极电流：8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H01NFT3G
工作温度：150°C（TJ）
功率：3.2W（Ta），125W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：82 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5538 pF @ 12 V
连续漏极电流：54A（Ta），334A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.7 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：150mW（Ta）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：0.35 nC @ 4.5 V
输入电容：17 pF @ 10 V
连续漏极电流：170mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 欧姆 @ 100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：15W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
输入电容：637 pF @ 20 V
连续漏极电流：8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：150mW（Ta）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：0.35 nC @ 4.5 V
输入电容：17 pF @ 10 V
连续漏极电流：170mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 欧姆 @ 100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2301
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：15W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637 pF @ 20 V
连续漏极电流：8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.1V @ 250µA
输入电容：50 pF @ 25 V
连续漏极电流：310mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.1V @ 250µA
输入电容：50 pF @ 25 V
连续漏极电流：310mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），5.7W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：95 nC @ 10 V
输入电容：3700 pF @ 10 V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2301
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：15W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637 pF @ 20 V
连续漏极电流：8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2301
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：15W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637 pF @ 20 V
连续漏极电流：8A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：50 pF @ 25 V
功率：350mW（Ta）
导通电阻：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：310mA（Ta）
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V @ 250µA
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
