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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740
工作温度：-55℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.162nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：97W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：97W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
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规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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