品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A-252
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:150mΩ@10V,11A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:52nC@-10V
输入电容:1.2nF@-25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
反向传输电容:81pF@-25V
导通电阻:340mΩ@10V,6.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP32N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:52nC@-10V
输入电容:1.2nF@-25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
反向传输电容:81pF@-25V
导通电阻:340mΩ@10V,6.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP18N20
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:150mΩ@10V,11A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS100N20HGC0
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC
输入电容:4.057nF
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:161pF
导通电阻:38mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS100N20IDC0
工作温度:-55℃~+150℃
功率:187.5W€375W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:130nC
输入电容:5.871nF
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:165pF
导通电阻:23mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP32N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A-252
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A-252
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):630A-252
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@10V,4.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP32N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: