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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
输入电容：6.49nF@50V
漏源电压：100V
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：6.49nF@50V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9540NSTRRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.45nF@25V
连续漏极电流：23A
类型：1个P沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
栅极电荷：110nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250μA
功率：310W
包装方式：管件
连续漏极电流：12A€80A
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：100V
输入电容：6nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70042E-GE3
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
输入电容：6.49nF@50V
漏源电压：100V
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
