采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1935，"22+"：25100，"23+"：3763，"MI+"：3916}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
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ECCN：EAR99
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输入电容：395pF@75V
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类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
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生产批次：{"21+"：1935，"22+"：25100，"23+"：3763，"MI+"：3916}
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输入电容：395pF@75V
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导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
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连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：14+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
类型：1个N沟道
输入电容：395pF@75V
漏源电压：150V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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