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    阈值电压: 4V@250μA
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 117W
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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C434NT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C434NT4G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.4nF@25V

    连续漏极电流:163A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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