采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：140mΩ@10V，7.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@7.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，16A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，16A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2572
工作温度：-55℃~+175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.77nF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：1个N沟道
导通电阻：54mΩ@10V，9A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，16A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP2572
栅极电荷：34nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：54mΩ@10V，9A
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
功率：135W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：1.77nF@25V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4A€29A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP2572
栅极电荷：34nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：54mΩ@10V，9A
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
功率：135W
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：1.77nF@25V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4A€29A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
