首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    阈值电压
    栅极电荷
    行业应用
    反向传输电容
    漏源电压
    连续漏极电流
    阈值电压: 4V@250μA
    栅极电荷: 60nC@10V
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    UMW Mosfet场效应管 STD35NF06L 起订8个装
    UMW Mosfet场效应管 STD35NF06L 起订8个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:105W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数250个
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:105pF@25V

    导通电阻:15mΩ@10V,27.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数1250个
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数1250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:105pF@25V

    导通电阻:15mΩ@10V,27.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数3750个
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数3750个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:105pF@25V

    导通电阻:15mΩ@10V,27.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":2250}

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    栅极电荷:60nC@10V

    连续漏极电流:80A

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    阈值电压:4V@250μA

    功率:1.8W€120W

    ECCN:EAR99

    输入电容:3.3nF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订220个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订220个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数25个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数25个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10D5 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10D5 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT045N10D5

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:4.217nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@50V

    导通电阻:4mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数100个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数100个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数500个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数500个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数200个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数200个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10D5 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10D5 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT045N10D5

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:4.217nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@50V

    导通电阻:4mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N08-16-E3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N08-16-E3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    类型:1个N沟道

    功率:3W€136W

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V@250μA

    工作温度:-55℃~+175℃

    连续漏极电流:40A

    输入电容:1.96nF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧