品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
输入电容:8.45nF@50V
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@250μA
功率:5.8W€230.8W
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:215A
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
输入电容:8.45nF@50V
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@250μA
功率:5.8W€230.8W
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:215A
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
输入电容:8.45nF@50V
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@250μA
功率:5.8W€230.8W
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:215A
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4010TRLPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.575nF@50V
连续漏极电流:180A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7mΩ@106A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~+175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5nF@50V
连续漏极电流:192A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@10V,115A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS4010TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:9.575nF@50V
导通电阻:4.7mΩ@106A,10V
连续漏极电流:180A
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2233
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
连续漏极电流:185A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: