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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订30个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订1个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

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    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

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    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

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    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

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    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    输入电容:8.45nF@50V

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    阈值电压:4V@250μA

    功率:5.8W€230.8W

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    ECCN:EAR99

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    输入电容:8.45nF@50V

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    功率:5.8W€230.8W

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    ECCN:EAR99

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订30个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    输入电容:8.45nF@50V

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    阈值电压:4V@250μA

    功率:5.8W€230.8W

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    连续漏极电流:215A

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订1个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订1个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRLPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRLPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:210mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2233

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.24nF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2233

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.24nF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4010TRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4010TRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4010TRLPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:215nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.575nF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@106A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2233

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.24nF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.24nF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:210mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRPBF 起订226个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRPBF 起订226个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120NTRPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:210mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF100S201 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF100S201 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF100S201

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:441W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5nF@50V

    连续漏极电流:192A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@10V,115A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4010TRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4010TRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):IRFS4010TRLPBF

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    输入电容:9.575nF@50V

    导通电阻:4.7mΩ@106A,10V

    连续漏极电流:180A

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:215nC@10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2233

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    连续漏极电流:185A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.24nF@50V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    阈值电压:4V@250μA

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    栅极电荷:69nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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