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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR570DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.74nF@75V
连续漏极电流：19A€77.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR582DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.6W€92.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.36nF@40V
连续漏极电流：116A€28.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS11N50ATRLP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.423nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@6.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR582DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.6W€92.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.36nF@40V
连续漏极电流：116A€28.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.725nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@10V，5A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2333
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9220TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，2.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2333
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
功率：760mW€2.5W
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：17nC@10V
工作温度：-50℃~+150℃
漏源电压：80V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：500pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7315DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52W
漏源电压：150V
输入电容：880pF@75V
连续漏极电流：8.9A
导通电阻：315mΩ@10V，4A
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N08-16-E3
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：16mΩ@40A，10V
类型：1个N沟道
功率：3W€136W
漏源电压：80V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：40A
输入电容：1.96nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
