采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34N
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：19A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@10V，10A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107W€3.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：1.696nF@25V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@28A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34N
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：19A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@10V，10A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3.45nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V，66A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3205RA
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP3205
功率：210W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：146nC@10V
输入电容：3.247nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：211pF@25V
导通电阻：7.2mΩ@10V，40A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3205RA
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP3205
功率：210W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：146nC@10V
输入电容：3.247nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：211pF@25V
导通电阻：7.2mΩ@10V，40A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3.45nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V，66A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3.45nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V，66A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：3.45nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V，66A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055NUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N055MUG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：9.6nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@41A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：175mΩ@10V，6.6A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3205RA
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：175mΩ@6.6A，10V
漏源电压：55V
功率：38W
连续漏极电流：11A
输入电容：350pF@25V
类型：1个P沟道
栅极电荷：19nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：54W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：89nC@10V
输入电容：1.9nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：270pF@25V
导通电阻：16mΩ@10V，22A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ46NPBF
功率：107W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10V，28A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP32N055SHE-E1-AY
功率：66W€1.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：32A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
