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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
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阈值电压：4V@250μA
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栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
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功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124.4nC@10V
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输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
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功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
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连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
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功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
输入电容：8.45nF@50V
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@250μA
功率：5.8W€230.8W
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
连续漏极电流：215A
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
输入电容：8.45nF@50V
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@250μA
功率：5.8W€230.8W
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
连续漏极电流：215A
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
输入电容：8.45nF@50V
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@250μA
功率：5.8W€230.8W
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
连续漏极电流：215A
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRFS4010TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
输入电容：9.575nF@50V
导通电阻：4.7mΩ@106A，10V
连续漏极电流：180A
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2233
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.24nF@50V
类型：1个N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
