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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD20N06TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:16.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,8.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 STD35NF06L 起订8个装
    UMW Mosfet场效应管 STD35NF06L 起订8个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:105W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订15个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订15个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G86N06K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJH600E-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJH600E-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W€3.3W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:212nC@10V

    输入电容:9.95nF@30V

    连续漏极电流:373A€37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:920mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订数150个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订数150个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:34nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:140mΩ@10V,7.2A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP90N6F6 起订数40个
    ST Mosfet场效应管 STP90N6F6 起订数40个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:136W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74.9nC@10V

    输入电容:4.295nF@25V

    连续漏极电流:84A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@38.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数250个
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:105pF@25V

    导通电阻:15mΩ@10V,27.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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