品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{}
规格型号(MPN):IRF6215STRLPBF
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
功率:3.8W€110W
栅极电荷:66nC@10V
漏源电压:150V
连续漏极电流:13A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:290mΩ@10V,6.6A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~+150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:315mΩ@10V,4A
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: