采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS100N06RA
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRB80N08A
功率：165W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20HGC0
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC
输入电容：4.057nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：161pF
导通电阻：38mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20IDC0
工作温度：-55℃~+150℃
功率：187.5W€375W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：130nC
输入电容：5.871nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF
导通电阻：23mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR80N08A
功率：165W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
漏源电压：80V
功率：1.6W
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR80N08A
功率：165W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR80N08A
功率：165W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS100N20HGC0
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：234nC
输入电容：4.057nF
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：161pF
导通电阻：38mΩ@10V，50A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRB80N08A
功率：165W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS100N06RA
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：390W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：9.65nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
导通电阻：23mΩ@10V，40A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS100N06RA
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
漏源电压：80V
功率：1.6W
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD100N20
栅极电荷：152nC@10V
类型：1个N沟道
反向传输电容：57pF@25V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：100A
导通电阻：23mΩ@10V，40A
输入电容：9.65nF@25V
漏源电压：200V
功率：390W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
漏源电压：80V
功率：1.6W
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
