品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65T
功率:78W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,5.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65T
功率:78W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,5.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65T
功率:78W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,5.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@10V,6.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS65R380P
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:21.8nC@10V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:330mΩ@10V,3.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:52nC@-10V
输入电容:1.2nF@-25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
反向传输电容:81pF@-25V
导通电阻:340mΩ@10V,6.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS60R380D
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:21.8nC@10V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:0.33mΩ@10V,3.8A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP9240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:52nC@-10V
输入电容:1.2nF@-25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
反向传输电容:81pF@-25V
导通电阻:340mΩ@10V,6.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF360N60EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.7nC@10V
输入电容:735pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMP360N60EC_T0_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:87.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.7nC@10V
输入电容:735pF@400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@10V,6.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS60R380D
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:21.8nC@10V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:0.33mΩ@10V,3.8A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS65R380P
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:21.8nC@10V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:330mΩ@10V,3.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MLS60R380D
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:21.8nC@10V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:0.33mΩ@10V,3.8A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP11P20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:52nC@-10V
输入电容:1.2nF@-25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@-25V
导通电阻:340mΩ@10V,-6.6A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
功率:38W
连续漏极电流:11A
输入电容:350pF@25V
类型:1个P沟道
栅极电荷:19nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: