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    阈值电压: 4V@250μA
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1700+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 630A 起订9个装
    谷峰 Mosfet场效应管 630A 起订9个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):630A

    功率:83W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 8070.0 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 8070.0 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8070.0

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:88A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,40A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3590 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3590 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3590

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.18nF@40V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:39mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86256 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86256

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W€10W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@75V

    连续漏极电流:1.2A€3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1pF@75V

    导通电阻:695mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86252 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86252 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86252

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@75V

    连续漏极电流:5A€27A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86255 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86255 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86255

    功率:2.7W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10V,10A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 630A 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 630A 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):630A

    功率:83W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86244

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@75V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:128mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 9N40-220 起订17个装
    谷峰 Mosfet场效应管 9N40-220 起订17个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):9N40-220

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:607mΩ@10V,4.5A

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF990N65EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:22.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP10N20C 起订555个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP10N20C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@10V,4.75A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:12.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@10V,13A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPF50PBF

    功率:190W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 5N65F 起订9个装
    UMW Mosfet场效应管 5N65F 起订9个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):5N65F

    功率:50W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,2.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC86244 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC86244 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC86244

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:345pF@75V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:144mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:147nC@10V

    输入电容:9.871nF@50V

    连续漏极电流:250A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10K 起订12个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10K 起订12个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT105N10K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    输入电容:1.574nF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD20N06TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:16.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,8.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4N60K 起订45个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4N60K 起订45个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4N60K

    功率:44.6W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3Ω@10V,2A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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