采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRI4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRI4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRF4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
栅极电荷：39nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：27.4A
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
功率：33W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：平伟实业
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：12N65TF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：平伟实业
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：12N65TF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：平伟实业
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：12N65TF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：平伟实业
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：12N65TF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：平伟实业
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：12N65TF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，6A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF190N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.685nF@25V
连续漏极电流：27.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@27.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
