品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:1.574nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1126T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:9.2nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
反向传输电容:110pF@50V
导通电阻:2.2mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT125N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:192W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:101.6nC@10V
输入电容:6.1246nF@50V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15.1pF@50V
导通电阻:4.1mΩ@10V,60A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT125N10M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:192W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:101.6nC@10V
输入电容:6.1246nF@50V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15.1pF@50V
导通电阻:4.1mΩ@10V,60A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:1.574nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN7612HDT1WG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.95nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@50V
导通电阻:8.5mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1120T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:11nF@20V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.2nF@20V
导通电阻:1.6mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1120T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:131nC@10V
输入电容:11nF@20V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.2nF@20V
导通电阻:1.6mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
输入电容:210pF@50V
导通电阻:109mΩ@10V,1.5A
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:1.5W
栅极电荷:5nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:480pF@25V
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:480pF@25V
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
输入电容:4.125nF@50V
功率:2.5W€125W
导通电阻:4.2mΩ@10V,44A
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:44A€124A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10K
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:1.574nF@50V
连续漏极电流:60A
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: