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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP264PBF 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP264PBF 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP264PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@23A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP264PBF 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP264PBF 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP264PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@23A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数75个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数75个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数250个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF 起订数250个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP50NF25 起订200个装
    ST Mosfet场效应管 STP50NF25 起订200个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP50NF25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2670pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@22A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPF40N25

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:3.7nF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2.5pF@25V

    导通电阻:65mΩ@10V,20A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订4个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订4个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPF40N25

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:3.7nF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2.5pF@25V

    导通电阻:65mΩ@10V,20A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订500个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订500个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPF40N25

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:3.7nF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2.5pF@25V

    导通电阻:65mΩ@10V,20A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MD40N25 起订25个装
    MINOS Mosfet场效应管 MD40N25 起订25个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MD40N25

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:3.7nF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2.5pF@25V

    导通电阻:65mΩ@10V,20A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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