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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 4V@250μA
    工作温度: -55℃~+150℃
    漏源电压: 150V
    当前匹配商品:3
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.74nF@75V

    连续漏极电流:19A€77.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.19nF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:295mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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