品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
功率:1.9W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: