采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：192W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：141nC@10V
输入电容：7.458nF@25V
连续漏极电流：101A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
