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    谷峰 Mosfet场效应管 G60N04K 起订23个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G60N04K 起订23个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G60N04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1.8nF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@20V

    导通电阻:5.3mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G120N04A

    功率:130W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@10V,20A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订50个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订50个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G120N04A

    功率:130W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@10V,20A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G120N04A

    功率:130W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@10V,20A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6697}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6697}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP82N04NDG-S18-AY 起订500个装
    NEC Mosfet场效应管 NP82N04NDG-S18-AY 起订500个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP82N04NDG-S18-AY

    功率:1.8W€143W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    输入电容:9nF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@41A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP82N04MDG-S18-AY 起订300个装
    NEC Mosfet场效应管 NP82N04MDG-S18-AY 起订300个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":4900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP82N04MDG-S18-AY

    功率:1.8W€143W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    输入电容:9pF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@41A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订197个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订197个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP80N04NDG-S18-AY 起订500个装
    NEC Mosfet场效应管 NP80N04NDG-S18-AY 起订500个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NDG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP80N04NDG-S18-AY 起订182个装
    NEC Mosfet场效应管 NP80N04NDG-S18-AY 起订182个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NDG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP82N04MDG-S18-AY 起订1000个装
    NEC Mosfet场效应管 NP82N04MDG-S18-AY 起订1000个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":4900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP82N04MDG-S18-AY

    功率:1.8W€143W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    输入电容:9pF@25V

    连续漏极电流:82A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@41A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 NP80N04NLG-S18-AY 起订500个装
    NEC Mosfet场效应管 NP80N04NLG-S18-AY 起订500个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NLG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT4522J 起订55个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT4522J 起订55个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4522J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:60nC@Vgs=10V

    输入电容:3.09nF@Vds=20V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:273pF@Vds=20V

    导通电阻:17mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT4913J 起订39个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT4913J 起订39个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4913J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@Vgs=10V

    输入电容:1.227nF@Vds=20V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:55pF@Vds=20V

    导通电阻:10mΩ@10V,20A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订182个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订182个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6697}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD60N04-AU_L2_000A1 起订15个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD60N04-AU_L2_000A1 起订15个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD60N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:1.759nF@25V

    连续漏极电流:60A€12.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G120N04A 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G120N04A

    功率:130W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@10V,20A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MLG-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6697}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY

    功率:115W€1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDG-E1-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY

    功率:105W€1.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:6.9nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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