品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
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输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
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导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:17A€94A
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导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
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导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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连续漏极电流:17A€94A
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导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
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类型:1个N沟道
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功率:80W
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栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
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品牌:ON SEMI
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:2.525nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
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工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
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工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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