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    当前匹配商品:40+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150G 起订33个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150G 起订33个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3150G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.4nF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:177pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订417个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订417个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150J 起订100个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150J 起订100个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3150J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.4nF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:177pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150J 起订41个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3150J 起订41个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3150J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.4nF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:177pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:89W

    栅极电荷:40nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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