品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G28N03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:891pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
反向传输电容:144pF@15V
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G28N03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:891pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
反向传输电容:144pF@15V
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G28N03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:891pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
反向传输电容:144pF@15V
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G28N03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:891pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
反向传输电容:144pF@15V
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V,2.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G28N03D3
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ
连续漏极电流:28A
功率:20.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:144pF@15V
输入电容:891pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: