品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:670mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:40A€7A
类型:2个N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:40A€7A
类型:2个N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9850_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:40A€7A
类型:2个N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9850_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:40A€7A
类型:2个N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:670mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:40A€7A
类型:2个N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:40A€7A
类型:2个N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8915TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
连续漏极电流:8.9A
类型:2个N沟道
导通电阻:18.3mΩ@8.9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ980EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.995nF@40V
连续漏极电流:36A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: