采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.8nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@20V
导通电阻：5.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD45P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€63W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：2.03nF@25V
连续漏极电流：45A€8.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：17mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI040P04D1-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3.538nF@20V
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6697}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04MLG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6697}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04MLG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.62W€65.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2798pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.451nF@20V
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9854_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.04nF@20V
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：12mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P04-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.451nF@20V
连续漏极电流：45A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：47.5nC@5V
输入电容：4.234nF@20V
连续漏极电流：14A€35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，9.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9850_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
输入电容：4.234nF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04NDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9nF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VDG-E1-AY
功率：105W€1.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VDG-E1-AY
功率：105W€1.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.93nF@20V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.67mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04NDG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04NDG-S18-AY
功率：115W€1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：6.9nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：4900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP82N04MDG-S18-AY
功率：1.8W€143W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€59.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.767nF@25V
连续漏极电流：46A€8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€64.9W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.258nF@25V
连续漏极电流：9.6A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
