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    品牌: DIODES
    阈值电压: 2.5V@250μA
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    当前匹配商品:40+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订数10000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LE-13 起订数10000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LPS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LPS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LPS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40.2nC@10V

    输入电容:2.309nF@50V

    连续漏极电流:90A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:6.7nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LK3-13 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LK3-13 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:2.309nF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LPS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40.2nC@10V

    输入电容:2.309nF@50V

    连续漏极电流:90A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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