品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40P10-40L_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.295nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1nF@25V
连续漏极电流:93A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:144nC@10V
输入电容:5.54nF@15V
连续漏极电流:38A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@10V,8.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.289nF@40V
连续漏极电流:32A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:2.7A€2.3A€4A€4A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:167mΩ@1.5A,10V€251mΩ@2.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: