采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100ENEAR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW€4.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW€4.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.5nC@10V
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€4.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：156mΩ@3A，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：511pF@15V
类型：1个N沟道
栅极电荷：4.3nC@4.5V
漏源电压：60V
功率：1.25W
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
