品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":759}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W€3.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.33nF@50V
连续漏极电流:24.7A€7.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15NF10L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€34.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26.2nC@10V
输入电容:1.535nF@15V
连续漏极电流:5A€20A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:28.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.519nF@30V
连续漏极电流:6.5A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:32pF@50V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@50V
导通电阻:5Ω@10V,0.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@10V
输入电容:32pF@50V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:7pF@50V
导通电阻:5Ω@10V,0.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1592J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7.2nC@Vgs=10V
输入电容:443pF@Vds=50V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15.4pF@Vds=50V
导通电阻:68mΩ@10V,7A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: