品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:93nC@10V
输入电容:5.95nF@25V
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€30W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9.3nC@10V
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:11A€3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002_R1_00001
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002B
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@10V,6A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: