采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：280mA
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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