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    阈值电压: 2.5V@250μA
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    栅极电荷: 22nC@10V
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    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,3.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订32个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订32个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订250个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订250个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订5个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订5个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订25个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001 起订25个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 起订数2000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 起订数2000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:15A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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