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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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功率：350mW
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输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
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功率：350mW
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输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
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导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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功率：350mW
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连续漏极电流：250mA
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导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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功率：350mW
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输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
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输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
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栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：800pC@5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：240mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：240mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Comchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Comchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：240mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：240mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
