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    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LDT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:670mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002VC-7 起订数123000个
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002VC-7 起订数123000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@5V,50mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    输入电容:1.009nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LFGQ-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LFGQ-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.62W€65.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2798pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7R 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7R 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7R

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SK3Q-13 起订数2500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4015SK3Q-13 起订数2500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:47.5nC@5V

    输入电容:4.234nF@20V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,9.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订数12000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订数12000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:300pC@4.5V

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT35M4LFDF-7 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT35M4LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    输入电容:1.009nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SSSQ-13 起订数2500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SSSQ-13 起订数2500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:91nC@10V

    输入电容:4.234nF@20V

    连续漏极电流:11.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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