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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：100mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：1.5pF@10V
导通电阻：2.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：100mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：1.5pF@10V
导通电阻：2.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：115pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C001ZPTL
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：1.5pF@10V
导通电阻：2.5Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：15pF@10V
功率：150mW
阈值电压：1V@100μA
导通电阻：3.8Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CTC，L3F
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
阈值电压：1V@100μA
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
