品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:480mA
功率:1.6W
漏源电压:100V
输入电容:125pF@25V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP5335K1-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
漏源电压:350V
输入电容:110pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:85mA
ECCN:EAR99
导通电阻:30Ω@200mA,10V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
漏源电压:60V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:10Ω@200mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
导通电阻:25Ω@100mA,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
阈值电压:2.4V@1mA
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
漏源电压:60V
连续漏极电流:120mA
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:10Ω@200mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
导通电阻:25Ω@100mA,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
阈值电压:2.4V@1mA
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:480mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:125pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:480mA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
漏源电压:60V
连续漏极电流:120mA
阈值电压:2.4V@1mA
导通电阻:10Ω@200mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
输入电容:125pF@20V
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP5335K1-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
漏源电压:350V
输入电容:110pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:85mA
ECCN:EAR99
导通电阻:30Ω@200mA,10V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP5322K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:220V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2520N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2520N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP5335K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP5335K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2502N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:125mA
类型:P沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: