品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N06T
功率:85W
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138LT1G
功率:225mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):24000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002 H6327
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:300mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT007N04TL
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA4371EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:6.4A
类型:MOSFET
导通电阻:45mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138LT1G
功率:225mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138LT1G
功率:225mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:43mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA4371EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:10.6nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:6.4A
类型:MOSFET
导通电阻:45mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138WT1G
功率:150mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS139LT1G
功率:225mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS139DW1T1G
功率:380mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:43mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3075(TE12L,Q)
功率:7.5W
阈值电压:1.5V
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:RF-MOSFET
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:90mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N06T
功率:85W
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS138LT1G
功率:225mW
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:43mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:43mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ-ES
功率:3.1W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:26.4nC
输入电容:1.23nF
连续漏极电流:10.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:145pF
导通电阻:13.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435-ES
功率:3.1W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:26.4nC
输入电容:1.23nF
连续漏极电流:10.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:145pF
导通电阻:13.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA401EEJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:5.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:2.68A
类型:MOSFET
导通电阻:113mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3019
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ-ES
功率:3.1W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:26.4nC
输入电容:1.23nF
连续漏极电流:10.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:145pF
导通电阻:13.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404L-7-ES
功率:1.4W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:9.8nC
输入电容:255pF
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF
导通电阻:17mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3019
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJAB35P03-ES
功率:30W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:26.4nC
输入电容:1.23nF
连续漏极电流:31A
类型:1个P沟道
反向传输电容:145pF
导通电阻:13mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N20F
功率:110W
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G35P04D5
阈值电压:1.5V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: