品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:275mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:320mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:370mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:370mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4pF@10V
导通电阻:1Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:320mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:320mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4pF@10V
导通电阻:1Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:275mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:295mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:295mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:275mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4pF@10V
导通电阻:1Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BK,215
功率:370mW
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:600pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKVL
导通电阻:1Ω@10V,500mA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
功率:370mW
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
反向传输电容:4pF@10V
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
类型:1个N沟道
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
功率:275mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:310mA
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: